HBM与NAND如何通过分层协同实现优势互补？

闪迪的创新存储架构

独特的3D堆叠设想

闪迪提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构，这一架构颇具创新性。它把GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上，并且放置在中介层，周围再堆叠HBM芯片。这种架构打破了传统存储的布局模式，为存储系统的发展开辟了新方向。

架构的具体分工

在这个架构中，HBM和NAND有着明确的分工。HBM负责高带宽低延迟访问，能够快速地与计算芯片进行数据交互，保障数据传输的高效性。而NAND层则承担大容量读写与存储任务，凭借其大容量的特性，可以存储海量的数据。两者相辅相成，共同构建起一个高效的存储体系。

HBM容量受限问题的解决之道

HBM容量瓶颈

HBM虽然在数据传输方面有着出色的表现，但其容量存在一定的局限性，单堆约32–64GB。这一容量限制在某些对数据存储需求较大的场景下，显得捉襟见肘。闪迪此前提出的HBF架构虽然在容量上有提升，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。

新架构的突破

此次基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构，正是针对HBM容量受限问题而来。通过将NAND与HBM进行分层协同，巧妙地缓解了HBM的容量压力。这种创新的设计，使得存储系统在保证高带宽低延迟的还能拥有大容量的存储空间，为数据存储提供了更优的解决方案。

NAND与DRAM的对比及新架构优势

NAND与DRAM的特点

NAND具备更高容量与更低成本的优势，能够以相对较低的成本存储大量数据。它的访问速度较慢，这在一定程度上影响了数据的快速读取和处理。DRAM则具有较快的访问速度，但容量相对较小且成本较高。

新架构的互补优势

闪迪的新架构通过3D分层，实现了NAND与DRAM优势的完美互补。HBM与NAND的协同，既利用了NAND的大容量低成本，又借助HBM的高带宽低延迟，让存储系统在性能和成本之间找到了平衡，大大提升了存储系统的综合性能。

相关问答

闪迪的新存储架构是怎样的？

将GPU或AI加速器等计算芯片集成在NAND/CMOS逻辑存储单元上，置于中介层，周围堆叠HBM芯片，HBM负责高带宽低延迟访问，NAND承担大容量读写与存储。

HBM存在什么问题？

HBM容量受限，单堆约32–64GB，此前闪迪的HBF架构虽提升了容量，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。

NAND与DRAM相比有何特点？

NAND容量更高、成本更低，但访问速度慢；DRAM访问速度快，但容量小、成本高。

新架构如何解决HBM容量问题？

通过3D分层，将NAND与HBM协同，利用NAND大容量，HBM高带宽低延迟，缓解了HBM容量压力。

闪迪此前的HBF架构有什么不足？

面临延迟与系统集成复杂度挑战，虽然容量可达4TB，较HBM提升8–16倍，但在性能优化上还有待改进。

新架构中HBM和NAND分别承担什么任务？

HBM负责高带宽低延迟访问，与计算芯片快速交互数据；NAND层承担大容量读写与存储任务，存储海量数据。