原厂停产引发备货潮,存储产品为何猛涨价?

财云财经阅读:63262025-06-01 10:38:00评论:0
摘要: 近期部分存储产品价格大幅上涨,像DDR4一个月涨50%。原厂停产是主要原因,三星等可能在年底前停止生产DDR3和DDR4,市场出现备货潮,NANDFlash部分产品也因停产涨价。存储市场整体增长迟缓,原厂在调整生产布局。

存储产品涨价情况

DDR4价格涨幅显著

闪存市场数据显示,截至5月27日当周,多款DDR4产品环比价格上涨。如DDR416Gb3200环比涨3.95%,DDR48Gb3200环比涨15%。TrendForce集邦咨询报告也多次提及DDR4颗粒现货价格上涨,29日DDR48Gb3200涨幅为4%。

NANDFlash部分产品涨价

另一类存储颗粒NANDFlash中,容量32Gb及以下的MLCNANDFlash涨价最多。这类产品用于智能家居、智能穿戴等,因原厂停产通知致供应减少,市场担忧缺货而囤货,价格因此上涨。

原厂停产引发连锁反应

DDR4停产传闻致备货潮

今年2月有消息称美光、三星和SK海力士可能年底前停DDR3和DDR4内存。4月三星通知PC制造商年底前停产DDR4。虽三星未证实,但市场已现连锁反应,买方抢购补充库存,使颗粒现货市场供给紧张,价格大幅上涨。

原厂停产引发备货潮,存储产品为何猛涨价?

MLCNANDFlash停供引发担忧

近日有消息称三星提前停产MLCNANDFlash,只供应至6月,市场担忧供应短缺大力囤货。三星回应未提及停供一事真实性,只是不对客户相关事发表评论。

原厂调整生产布局

制程转换聚焦高性能产品

部分存储颗粒涨价是因原厂进行制程转换。DDR已到DDR5,原厂将产能转向高性能产品如HBM,DDR3、DDR4利润低。NANDFlash方面,多家厂商推广QLC产品,推进产品迭代,因AI时代端侧设备需增加存储密度。

存储市场整体增长预期

存储市场整体规模预计今年比去年增长1%-2%。积极因素包括去库存后价格获支撑、AI应用带来大容量存储需求,但终端需求未强劲反弹。原厂减少产能资本支出,侧重先进产能研发,如美光、SK海力士加码布局HBM。

原厂停产引发备货潮,存储产品为何猛涨价?

相关问答

近期哪些存储产品涨价了?

近期DDR4和NANDFlash中的部分产品涨价。DDR4中多款产品价格上涨,NANDFlash里容量32Gb及以下的MLCNANDFlash涨价明显。

DDR4价格上涨的原因是什么?

DDR4价格上涨主要是因为原厂停产传闻。美光、三星和SK海力士可能年底前停DDR3和DDR4内存,三星通知年底前停产DDR4,引发市场备货潮,导致价格上升。

MLCNANDFlash为什么会涨价?

MLCNANDFlash涨价是因原厂停产通知。三星提前停产MLCNANDFlash,只供应至6月,市场担忧供应短缺,纷纷囤货,推动价格上涨。

存储市场整体增长情况如何?

存储市场整体预计今年比去年增长1%-2%。虽有去库存后价格支撑和AI应用带来的需求,但整体终端需求尚未强劲反弹。

原厂为何要调整生产布局?

原厂调整生产布局是为了面向AI时代需求。将产能转向高性能产品如HBM,推进NANDFlash产品从MLC向QLC迭代,以适应AI发展对存储密度的要求。

美光在存储方面有哪些动作?

美光专注增加HBM产能以满足2026年市场需求,进行业务部门重组,成立云内存业务部,为超大规模云客户提供内存解决方案、为数据中心客户提供HBM。

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