HBM4份额争夺激烈，三星、SK海力士谁能笑到最后？
三星率先出招
增大DRAM尺寸
三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片尺寸，这一举措能提升DRAM和HBM4性能。芯片尺寸扩大保证了TSV工艺稳定性，因HBM4I/O数量增加，需要更多TSV孔，更大的DRAM可用面积让TSV布局更灵活，如降低TSV密度，利于散热和确保可靠性。
技术与良率问题
三星在HBM4核心芯片中采用1cDRAM技术领先一代，但良率仅60%左右。增大DRAM尺寸虽能提升性能，却可能使利润缩水，因每片晶圆可生产芯片数量减少。不过三星对尖端工艺有信心，在HBM4量产启动仪式上宣称设定了超越JEDEC标准的性能目标，且量产之初就确保了稳定良率和领先性能。
SK海力士奋起直追
提前量产计划
SK海力士将位于清州的“HBM4专用工厂”M15X工厂的量产计划提前四个月，本月开始量产用于HBM4的1bDRAM晶圆。该工厂初期规划约1万片，预计到年底提升至数万片，试图在量产进度上追赶三星。
工艺对比劣势
在HBM控制器基础芯片工艺上，三星采用自家4nm工艺量产，相比SK海力士采用台积电12nm工艺有显著提升。且SK海力士和美光在HBM4芯片中使用与HBM3E相同的1bDRAM芯片，这在一定程度上影响了其HBM4产品的竞争力。
市场格局初现
三星销售优势
根据市场调查机构Omdia报告，三星电子2025年第四季DRAM市占率达36.6%，SK海力士以32.9%居第二，主要得益于三星第六代HBM4销售增长，三星在HBM4销售上已取得优势。
三大厂供应格局预期
TrendForce集邦咨询预期英伟达Rubin平台量产后将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂HBM4验证程序已近尾声，预计2026年第二季陆续完成。三星凭借最佳产品稳定性预期率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，有望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。
相关问答
三星增大DRAM尺寸对HBM4性能有何影响？
增大DRAM尺寸能保证TSV工艺稳定性，HBM4因I/O数量增加需更多TSV孔，更大可用面积使TSV布局更灵活，利于散热和确保可靠性，从而提升HBM4性能。
SK海力士在HBM4量产方面采取了什么措施？
SK海力士将位于清州的“HBM4专用工厂”M15X工厂的量产计划提前四个月，本月开始量产用于HBM4的1bDRAM晶圆，初期规划约1万片，年底预计提升至数万片。
三星HBM4核心芯片的良率情况如何？
三星HBM4核心芯片采用的1cDRAM技术良率约60%左右，三星正集中精力提高良率，同时抢先为英伟达大规模生产HBM4。
三星在HBM4销售上取得了怎样的优势？
根据Omdia报告，9%居第二，主要得益于三星第六代HBM4销售增长。
三大厂HBM4验证程序进展如何？
目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计2026年第二季陆续完成。三星预期率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上。
HBM4市场份额争夺中，工艺对产品有何影响？
三星采用自家4nm工艺生产HBM控制器基础芯片，相比SK海力士的12nm工艺有显著提升。SK海力士和美光在HBM4芯片中使用的1bDRAM芯片与HBM3E相同，影响了竞争力。
