三星罢工致存储芯片供应紧张，国内存储大厂市占率能提升吗？

三星电子总罢工或加剧供应紧张

罢工计划与可能影响

据韩联社3月18日报道，三星电子工会计划于4月23日举行集会，并在5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。若罢工如期举行，将影响三星在韩国平泽半导体园区的芯片生产线，冲击DRAM、NAND闪存及HBM芯片的产能释放。

停产复产的时间成本

产线一旦停产，复产需重新检测和启动生产链，这十分耗费时间和人力资源。2026年以来，在AI强劲需求推动下，存储芯片供需偏紧，价格不断上涨，三星的停产风险或进一步加剧供应紧张。

国内存储大厂迎来发展契机

产能与市场份额现状

按出货量统计，长鑫科技已成为全球第四的DRAM厂商，按2025年Q2的DRAM销售额统计，其全球市场份额已至3.97%。近年来国内存储大厂产能建设与技术突破进展快速，如国产3DNAND产品已实现232层闪存量产并向更高堆叠层数迭代。

“十五五”期间的展望

我们认为存储的涨价和高景气度有望贯穿2026年全年，三星电子可能的总罢工行动对国内存储大厂而言是扩大市场、提升市占率的机会。国内存储大厂的产能扩张及技术迭代有望在“十五五”期间加速，全球市占率有望持续提升。

看好半导体材料需求增长

存储大厂扩产带来的机遇

在存储产品全球紧缺、产品价格和盈利能力不断上行、国内厂商全球市场份额仍然较低、国内产业政策大力支持的背景下，看好存储大厂扩产带来的需求增量，材料及零部件端核心供应商的成长性及向上空间具有较强的确定性。

技术层面的需求提升

未来存储器件的3D化将大幅提升晶圆制造工艺相关的半导体材料用量，薄膜沉积、CMP、刻蚀、电镀等均是受益环节，耗材的用量将在制程进步和技术迭代下获得额外的加成系数。看好国内存储大厂成为半导体耗材重要的需求驱动力，重视产业链核心供应商。

风险因素需关注

三星电子总罢工行动变动超预期；国内大厂扩产进度不及预期；行业需求萎缩；国产替代进程不及预期；海外对华半导体产业限制措施加码；企业新产品研发和放量不及预期。这些风险因素可能影响国内存储大厂的发展及产业链核心供应商受益情况。

相关问答

三星电子总罢工若举行，会对存储芯片市场有何影响？

可能影响三星在韩国平泽半导体园区的芯片生产线，冲击DRAM、NAND闪存及HBM芯片产能释放，加剧全球存储芯片市场供应紧张。

国内存储大厂目前的产能和技术情况如何？

长鑫科技已成为全球第四的DRAM厂商，国产3DNAND产品实现232层闪存量产，国产DRAM产品也实现多种主流产品量产。

“十五五”期间国内存储大厂有怎样的发展趋势？

产能扩张和技术迭代有望加速，全球市占率有望持续提升，存储的涨价和高景气度有望贯穿2026年全年。

看好半导体材料需求增长的原因是什么？

存储产品全球紧缺，国内厂商份额低且有政策支持，存储器件3D化将提升半导体材料用量，耗材用量也会增加。

国内存储大厂面临哪些风险因素？

包括三星电子总罢工行动变动超预期、国内大厂扩产进度不及预期、行业需求萎缩、国产替代进程不及预期等。

存储芯片市场目前的供需格局怎样？

2026年以来，在AI的强劲需求推动下，存储芯片仍是供需偏紧的格局且价格不断上涨。