数据中心电力系统升级，SiC和GaN谁将更胜一筹？

数据中心供电系统升级趋势

高压架构成为确定方向

在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，数据中心供电系统发展的确定方向是高压架构。硬件技术的进步推动2026年成为数据中心高压架构的落地元年。这一趋势是由算力芯片功率密度提升以及能源转换效率要求不断严苛所驱动的。

高压架构带来的变革

高压架构的应用将改变数据中心供电系统的格局。它能够更好地应对高功率需求，提高能源利用效率，降低运营成本。随着高压架构的逐步普及，数据中心的电力相关系统将迎来全面升级。

第三代化合物半导体器件的机遇

SiC统领机房侧应用

SiC有望统领机房侧（灰区）应用。凭借其物理特性优势，SiC在应对机房侧的电力需求方面具有明显优势。它能够承受更高的电压和温度，提高能源转换效率，从而在机房侧逐步替代Si基功率半导体。

GaN在机柜内大规模渗透

GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透。GaN具有高频性能好、开关速度快等优点，适合机柜内的高密度电源转换需求。从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。

市场空间与投资节奏

市场空间测算

测算显示，2030年单MW数据中心建设对应的SiC器件/GaN器件有望分别达到1.0/2.1万颗，对应单MW价值量有望达22万/4.9万美元，市场空间可观。这表明随着数据中心的持续建设，第三代化合物半导体器件的市场需求将不断增长。

投资节奏分析

短期高压架构对三代半导体供给冲击有限，长期期权更应被合理定价。结合SemiAnalysis的研究结论，数据中心供电架构的变革会经历四个发展阶段，2026-2030年间，机柜及机房侧有望逐步被800V/±400VDC系统改造，驱动第三代化合物半导体需求增长。

中国企业的成长机会

深度布局与竞争力提升

中国企业已在SiC/GaN领域实现深度布局，竞争力持续提升。通过不断加大研发投入，提高技术水平，中国企业在第三代化合物半导体领域取得了显著进展。

有望受益于高压架构渗透

未来中国第三代化合物半导体产业链公司有望较大幅度受益于数据中心高压架构的渗透。随着市场需求的增长，中国企业将凭借自身的技术优势和市场份额，在数据中心电力相关系统升级中获得更多机会。

数据中心电力相关系统升级为第三代化合物半导体器件带来了广阔的市场空间。SiC和GaN在不同应用场景中各有优势，中国企业也迎来了确定性成长机会。行业也面临着一些风险，如产业进度不及预期、竞争加剧及客户认证等问题。投资者需密切关注行业动态，把握投资机会。

相关问答

数据中心供电系统为什么要向高压架构发展？

因为AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击，高压架构能更好应对高功率需求，提高能源利用效率，降低运营成本。

SiC在数据中心电力系统中有什么优势？

SiC能承受更高电压和温度，可提高能源转换效率，有望统领机房侧应用，逐步替代Si基功率半导体。

GaN在机柜内大规模渗透的原因是什么？

GaN具有高频性能好、开关速度快等优点，适合机柜内高密度电源转换需求，所以有望在机柜内大规模渗透。

2030年单MW数据中心建设对应的SiC器件和GaN器件市场空间如何？

0万颗，价值量9万美元。

中国企业在第三代化合物半导体领域有哪些优势？

中国企业已在SiC/GaN领域深度布局，竞争力持续提升，有望较大幅度受益于数据中心高压架构的渗透。

数据中心供电架构变革会经历哪几个发展阶段？

结合SemiAnalysis的研究结论，数据中心供电架构变革会经历四个发展阶段，2026-2030年间，机柜及机房侧有望逐步被800V/±400VDC系统改造。