存储景气度为何至少将延续到2026年下半年？

存储周期的不同阶段剖析

上轮存储周期回顾

上轮存储周期从2023年6月开启上行通道。原厂减产使得产能利用率降低，如2023下半年5大原厂平均产能利用率仅70%多。报价逐渐走强，下游消费类产品库存回归正常。在此背景下，DRAM和NANDFlash供需加速平衡，价格止跌回升。DRAM价格触底到2024Q2涨幅20%-70%，NANDFlash涨幅80%-200%，持续约3-4个季度。

本轮存储周期上行特点

本轮自25Q1起上行。供给端上，DRAM方面，海外原厂聚焦高利润率产品，压缩DDR3/DDR4供给，使其价格止跌回升，Q2涨幅明显。NANDFlash方面，原厂减产并向高阶产品迁移产能，低阶产品供应减少，价格在2025年3月止跌，Q2温和上涨。9月多家原厂计划调涨报价，需求周期被带动。

需求端的推动因素

AICAPEX高增助力数据中心存储

海外四大CSP厂商2025年CAPEX指引上修。预计2025/26年AICAPEX同比大幅增长，全球AI服务器市场规模也将显著提升。这强劲驱动了数据中心存储需求，为存储市场带来新的活力，使得相关产品需求有了增长的基础。

HDD紧缺促使转向eSSD

存储冷数据的NearlineHDD因产能限制供应短缺，交期延长。海外CSP厂商开始考虑用eSSD存储冷数据。随着数据中心AI服务器出货量增加、单台服务器搭配SSD容量提升以及HDD紧缺，预计到2026年企业级SSD将大幅增长，AI服务器企业级SSD需求更是增长显著，占全球NAND需求有望提升。

供给端的现状与影响

NAND原厂产能利用率情况

在2023年上半年行业处于上一轮周期底部时，海外存储原厂稼动率下降，NAND稼动率更低。2024年下半年NANDFlash供过于求，大厂减产并向高阶产品迁移产能。当前NAND原厂产能利用率约80%多，整体产能布局有一定变化。

NANDCAPEX规划及影响

2025年三大DRAM原厂CAPEX明显倾向于DRAM先进制程和HBM，对NANDFlash相对谨慎。全球DRAMCAPEX增长达54%，NANDFlash仅6%。考虑到多方面因素，如AI数据中心需求高增等，2026年NAND可能形成供给缺口，推动价格上涨。

存储市场的展望与风险

市场前景展望

9月以来原厂接连调涨报价，Wafer、模组价格已小幅上涨。预计后续数据中心eSSD涨价幅度有望超预期，2026年大容量QLCSSD有望爆发性增长。整体对本轮结构性周期景气的持续性持乐观态度。

风险因素考量

全球宏观经济复苏不及预期、欧美企业IT支出尤其是AI支出不及预期、AI服务器需求不及预期、NAND技术升级与成本下降不及预期、海外大厂经营战略及产能调整不及预期、企业级SSD需求不及预期以及行业竞争加剧等，都是需要考虑的风险因素。

相关问答

上轮存储周期上行的情况是怎样的？

上轮自2023年6月起，原厂减产，报价走强，下游库存回归正常，DRAM和NANDFlash供需平衡，价格回升，持续约3-4个季度。

本轮存储周期上行在供给端有哪些表现？

DRAM方面，原厂聚焦高利润率产品，压缩DDR3/DDR4供给；NANDFlash方面，原厂减产并向高阶产品迁移产能，低阶产品供应减少，价格上涨。

AICAPEX高增对存储市场有何影响？

AICAPEX高增带动数据中心存储需求，预计2025/26年AICAPEX同比大幅增长，全球AI服务器市场规模提升，推动存储产品需求增长。

HDD紧缺对存储市场有什么作用？

HDD紧缺使海外CSP转向eSSD，预计到2026年企业级SSD将大幅增长，AI服务器企业级SSD需求增长显著，占全球NAND需求有望提升。

2026年NAND为何可能形成供给缺口？

AI数据中心需求高增、HDD需求部分转化、eSSD对NANDFlashWafer要求高、NANDCAPEX增长缓慢无大量新增产能等因素影响。

存储市场有哪些风险因素？

包括全球宏观经济、欧美企业IT支出、AI服务器需求、NAND技术与成本、海外大厂战略产能、企业级SSD需求及行业竞争等方面的风险。